今天，兆驰半导体、旭显 改日接踵○告示最新M icro LED专 利音信，涉及低电流密■度下芯片的功能擢升，升高芯片内量子效果，以及擢升巨量挪动效果。

　　邦度 常识产权局音▽信显★示，江西兆驰 半导体有限公司申请一项名为“一种蓝光Micro-LED的外延组织及其制备举措”的专利，公然号CN118825157A，申请 日期为2024年9月。

　　该专利可低落孕育I=nGaN量子阱时的应△力，明显★刷新大□批子阱发光层的质地，同时升高P型半导体层的空穴注入效果，从而升高Micro LED芯片正在△低职业电流密度下的光效、良率等功能，合用于小尺寸、低电流以及▽ 低功率的蓝光Micro LED。

　　专利摘要显示，发现涉及半导…体原料 的技艺范畴，公然了一种蓝光Micro‑LED的外延组织及其制备举措，外延组织包罗衬底，正在所述衬底前次第层叠的缓冲层，N型半导体层，低温应力开释层，大批子阱发光层，电子抵 =抗层和P型半 导 △体 层，所述大批子阱发光层包罗由下至前次第层叠孕育的第一浅蓝光大批子阱子层第二浅蓝光大批子阱子层第三蓝光大批子阱子层和第四浅蓝光 大批子阱子层，此中每层子层均 为In…GaN大批子阱层与大批子垒层的超晶格组织。

　　此外，兆驰半 导体还申请一○项○名为“一种Micro-LED的外延组织及其制备举措”的专利，公然号CN118825159A，申请日期 为 2024年9月。

　　该专利通过正在正在N型掺杂▽G■ aN层和大批 子阱层之间设备插入层，能够低落孕育大批子阱层时的应力，并低落大批子阱层的位错 密度，升高大批子阱层□的晶体质地，从而升高Mic=ro LE D的内量子效果，低落职业电压，擢升发光亮度。

　　专利摘要显示，发现涉★及半 导◁体原料的△□技艺范畴，公然了一种Micro LED的外延组织及其制备举措，所述外延组织包罗衬底，正在所述衬底△前次第层○叠的缓冲层，未掺杂的GaN层，N型掺杂 GaN层插入层大○△批子阱层，电子抵抗层，P型掺杂G aN层和接触层；此中，所述 插入层包罗于所述N型掺杂GaN层○前次第设备的◁AlN层、图形化的GaSb层、Al金属层 和 InGaN 层。

　　材料显示，兆驰股份于2017年正在江▽西南昌创立兆驰半导体，目先兆驰半导体是环球单体范围最大的数字智能LED芯片出产基地，也是兆驰股份LE…D营业板块最闭键的营收来历，其产 销范围抵达了110万片晶圆（4寸片）/月。

　　邦度常 识产权局音 信显示，旭显改日（北京）科技有限 公司得到一项名为“一种MicroLED芯片巨量挪动装备”的专利，授权布告号CN221885132U，申请日期为2024年2月。专利可通 过正在焊盘身分设备凹陷■区，并诈骗磁性吸附的道理△竣工Micro LED芯片的火速定位装置，牢靠性高。

　　专利摘要显示欧洲杯投注官方网站入口正规赌足球的软件LED拼接处理器COB小间距LED显示屏画面分割器液晶拼接屏，，本适用新型涉及显示 □技艺范○△畴，实在涉及一种Micro ★LED芯片巨量挪动装备。一种Micro LED芯片巨量挪动装备=包罗Micro LED芯片、挪动基板和摇动单位；挪动基板 上△设备有焊盘身分，焊盘身分处设备有凹陷区；焊盘身分的此中一个电极◁ 具 □有磁性；Micro LED芯片两个电极具有磁 性，此中，Micro LED芯片与挪动基板一样界说的电极上具有的磁性与焊盘身分上的磁性相反；摇动单位与挪 动基板传动毗连 并用于摇动 挪动基板，使Micro LED芯片落于凹陷区。

　　旭显改日是一家专业从事Mini/Micro LED显示屏出产技艺研发、软件斥地、技艺效劳、体例集成的高新技艺企业。正在寰宇 范畴内 结★构了五大出产基地，诀别位于山东、湖南、江西、安徽、浙江。

　　此中，湖南工场于本年7月告捷点亮第一批倒装□COB Mini LED显示 箱体产物。改日，该工场可 年▽产66000平方米Min i LED 显示模组。旭显改日估计，跟着湖南工场正式量产 及安徽、浙江工场的赓续装备，估计2025年LED模组年度产能可达35万平米LCD大屏幕拼接执掌显。

　　正在Mic○ro LED方面，本年4月，旭显改日曾展出环球首款真Micro LED薄膜芯片（去除原生衬底）MiP直显4K大屏。该产物采用发光芯片微纳化LCD大屏幕拼接执掌显、原生衬底去除、晶圆级巨量转印！

　　为进一步饱吹Mini/▽Micro LED技艺研▽发，本年8月，旭显改日的南 方○显示科技钻 探院正式正在深圳挂牌创立。钻探院基于新型显示范畴的底层技艺钻探，从原料端、工艺端、光学端、电子端众学科修构部分，设置起★完全的技艺和…人才储存，具有从技艺研发、工艺缔制、出产器件到小◁间距模组的完备自决研发团队和完备的▽LED物业结构。

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